1、什么是薄膜内应力，生长应力，热应力？生长应力，热应力产生的原因？

内应力：在无外力的作用下，存在于薄膜的任意断面上，由断面的一侧作用于断面的另一侧的单位面积的力。
热应力：指在变温情况下，由于受约束的薄膜的热胀冷缩效应而引起的薄膜内应力
生长应力：是指由于薄膜结构的非平衡性所导致的薄膜内应力，也称本征应力。
2、薄膜生长方式的三种模式：

岛状生长模式
层状生长
岛状层状生长
3、薄膜和衬底间的界面形态

平界面，在这类界面上，物质从一种类型突变为另一种类型，界面两侧的原子间距为0.1-0.5nm。
形成化合物的界面。在界面两侧原子间作用力较强时，界面之间将发生化学反应并生成化合物。
合金的扩散界面。在界面两侧元素间相互扩散，溶解形成合金的情况下，界面成分将呈现出梯度变化(4)机械咬合面。在界面粗糙程度较大，界面元素并不发生明显扩散的情况下，界面两侧的物质以其凹凸不平的表面相互咬合。
4、薄膜厚度的测试方法主要有哪些？

等厚干涉法（FET），等色干涉法（FECO）等角度干涉法（VAMFO）等角反射干涉法（CARIS）椭偏仪法，表面粗糙度仪法，称重法，石英晶 体振荡器法。举例：椭偏仪法（利用的是物质界面对于不同偏振态光具有不一样的反射，折射能力的特性，通过测量出薄膜对于不同偏振光分量的反射系数之比求出 薄膜的厚度。）

5、自发成核指的是整个成核过程中原子由气相转变为固相或液相的相变自由能推动下形成的，也称均匀成核。在薄膜和衬底之间侵润性较差的情况下，薄膜的形核过程可以近似的认为是一个自发形核过程。

6、什么是薄膜的附着力，如何提高附着力？

薄膜的附着力是指薄膜对沉底的黏着能力的大小，即薄膜与衬底在化学键合力或物理咬合力作用下的强度。可以通过提高界面的粗糙程度或增加界面的过渡层，还可以通过高能离子的轰击提高表面原子的扩散能力形成有效界面健合，形成扩散层等方法提高附着力。

7、比较分析PVD和CVD沉积技术的优缺点。

CVD的优缺点：

优点：CVD制备所得到的薄膜或材料一般纯度很高，很致密，而且容易形成结晶定向好的材料；能在较低温度下制备难容物质；便于制备各种但是或化合物材料以及各种复合材料。

缺点：需要在高温下反应，基片温度高，沉积速率较低，使用设备复杂，集体难于进行局部沉积，参加反应的源和反应后的余气都有一定的毒性

(PVD需在较低的压力下进行,沉积率几乎100%.CVD在相对较高的压力下进行.PVD具有方向性和阴影效应,CVD薄膜可以被均匀地涂覆在复 杂零件的表面上,而较少受到阴影效应的限制.CV可以有效地控制薄膜的化学成分,高的生产效率和低的设备及运行成.与其他相关工艺具有较好的相容性.)

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